Microchip TechnologyMUPTB33E3Diode: TVS

Breakdown voltage 36.8VMax. forward impulse current 2.65AMax. off-state voltage 33VCách lắp SMD

Mã nhà sản xuất

MUPTB33E3

Thương hiệu

Mã kho

MUPTB33E3

Liên hệ

Diode: TVS; 1kW; 36.8V; 2.65A; bidirectional; Ch: 1; -65÷150°C

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	MICROCHIP TECHNOLOGY
Manufacturer Part No.	MUPTB33E3
Type of diode	TVS
Peak pulse power dissipation	1kW
Max. off-state voltage	33V
Breakdown voltage	36.8V
Max. forward impulse current	2.65A
Semiconductor structure	bidirectional
Mounting	SMD
Number of channels	1
Operating temperature	-65...150°C
Gross weight	0.051 g

Tài liệu: Documentation EN

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Added to your cart: