Skip to content

VISHAY Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A [SI5935CDC-T1-E3]

Mã nhà sản xuất
SI5935CDC-T1-E3
Thương hiệu
Mã kho
SI5935CDC-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI5935CDC-T1-E3
Type of transistor P-MOSFET x2
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -4A
Pulsed drain current -10A
Power dissipation 2W
Case ChipFET8
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 156mΩ
Mounting SMD
Gate charge 11nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Case - inch 1206
Case - mm 3216
Gross weight 0.001 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare