Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI5935CDC-T1-GE3 919-4325

VISHAY Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A [SI5935CDC-T1-GE3]

Mã nhà sản xuất
SI5935CDC-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
919-4325
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Vishay
Manufacturer Part No. SI5935CDC-T1-GE3
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 3.8A
Maximum Drain Source Voltage 20V
Package Type 1206 ChipFET
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 8
Maximum Drain Source Resistance 156mΩ
Channel Mode Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Maximum Power Dissipation 3.1W
Transistor Configuration Isolated
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature +150°C
Typical Gate Charge @ Vgs 7 nC @ 5 V
Width 1.7mm
Transistor Material Si
Length 3.1mm
Number of Elements per Chip 2
Height 1.1mm
Minimum Operating Temperature -55°C

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare