Skip to content

VISHAY Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A [SI7810DN-T1-E3]

Mã nhà sản xuất
SI7810DN-T1-E3
Thương hiệu
Mã kho
SI7810DN-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI7810DN-T1-E3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 100V
Drain current 5.4A
Pulsed drain current 20A
Power dissipation 3.8W
Case PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 84mΩ
Mounting SMD
Gate charge 17nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g
Import code no. 8541290000

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare