Skip to content

VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A [SI8409DB-T1-E1]

Mã nhà sản xuất
SI8409DB-T1-E1
Thương hiệu
Mã kho
SI8409DB-T1-E1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI8409DB-T1-E1
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -30V
Drain current -6.3A
Pulsed drain current -25A
Power dissipation 2.77W
Case MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 65mΩ
Mounting SMD
Gate charge 26nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.001 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare