Skip to content

VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A [SI8497DB-T2-E1]

Mã nhà sản xuất
SI8497DB-T2-E1
Thương hiệu
Mã kho
SI8497DB-T2-E1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI8497DB-T2-E1
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -30V
Drain current -13A
Pulsed drain current -20A
Power dissipation 13W
Case MICROFOOT®
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 0.12Ω
Mounting SMD
Gate charge 49nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.001 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare