Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI8816EDB-T2-E1 2364065

VISHAY Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 8A; 0.9W [SI8816EDB-T2-E1]

Mã nhà sản xuất
SI8816EDB-T2-E1
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI8816EDB-T2-E1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 8A; 0.9W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI8816EDB-T2-E1
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 2.3A
Pulsed drain current 8A
Power dissipation 0.9W
Case MICROFOOT®
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 142mΩ
Mounting SMD
Gate charge 8nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.001 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare