Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về

VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -2.9A; Idm: -15A [SI8819EDB-T2-E1]

Mã nhà sản xuất
SI8819EDB-T2-E1
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI8819EDB-T2-E1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -2.9A; Idm: -15A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI8819EDB-T2-E1
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -12V
Drain current -2.9A
Pulsed drain current -15A
Power dissipation 0.9W
Case MICROFOOT®
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 0.28Ω
Mounting SMD
Gate charge 17nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.001 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare