Skip to content

VISHAY Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A [SI8902AEDB-T2-E1]

Mã nhà sản xuất
SI8902AEDB-T2-E1
Thương hiệu
Mã kho
SI8902AEDB-T2-E1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI8902AEDB-T2-E1
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 24V
Drain current 11A
Pulsed drain current 40A
Power dissipation 5.7W
Case MICROFOOT®
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 37mΩ
Mounting SMD
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.001 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare