Skip to content

VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A [SI9407BDY-T1-E3]

Mã nhà sản xuất
SI9407BDY-T1-E3
Thương hiệu
Mã kho
SI9407BDY-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI9407BDY-T1-E3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -60V
Drain current -2.6A
Pulsed drain current -20A
Power dissipation 3.2W
Case SO8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 0.12Ω
Mounting SMD
Gate charge 22nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.111 g

Tài liệu: Documentation EN · Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare