Skip to content

VISHAY Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; SI9926CDY-E3 [SI9926CDY-T1-E3]

Mã nhà sản xuất
SI9926CDY-T1-E3
Thương hiệu
Mã kho
SI9926CDY-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; SI9926CDY-E3

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI9926CDY-T1-E3
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 20V
Drain current 6.7A
Pulsed drain current 30A
Power dissipation 2W
Case SO8
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 22mΩ
Mounting SMD
Gate charge 33nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.176 g

Tài liệu: Documentation EN · Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare