Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SIA429DJT-T1-GE3 818-1450

VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A [SIA429DJT-T1-GE3]

Mã nhà sản xuất
SIA429DJT-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SIA429DJT-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIA429DJT-T1-GE3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -12A
Pulsed drain current -30A
Power dissipation 19W
Case PowerPAK® SC70
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 60mΩ
Mounting SMD
Gate charge 62nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare