Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SIHB11N80E-GE3 2932918

VISHAY Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W [SIHB11N80E-GE3]

Mã nhà sản xuất
SIHB11N80E-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SIHB11N80E-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIHB11N80E-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 800V
Drain current 8A
Pulsed drain current 32A
Power dissipation 179W
Case D2PAK, TO263
Gate-source voltage ±30V
On-state resistance 440mΩ
Mounting SMD
Gate charge 88nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare