SIHB21N65EF-GE3 3929216

VISHAY Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W [SIHB21N65EF-GE3]

Mã nhà sản xuất

SIHB21N65EF-GE3

Thương hiệu

Mã kho

SIHB21N65EF-GE3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SIHB21N65EF-GE3
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650V
Drain current	13A
Pulsed drain current	53A
Power dissipation	208W
Case	D2PAK, TO263
Gate-source voltage	±30V
On-state resistance	0.18Ω
Mounting	SMD
Gate charge	106nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	2 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare