Skip to content

VISHAY Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86.8A; Idm: 150A [SISS10ADN-T1-GE3]

Mã nhà sản xuất
SISS10ADN-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SISS10ADN-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86.8A; Idm: 150A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SISS10ADN-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 40V
Drain current 86.8A
Pulsed drain current 150A
Power dissipation 36W
Case PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage -16...20V
On-state resistance 3.95mΩ
Mounting SMD
Gate charge 61nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare