Skip to content

VISHAY Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W [SIZ902DT-T1-GE3]

Mã nhà sản xuất
SIZ902DT-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIZ902DT-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIZ902DT-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 16A
Pulsed drain current 50...80A
Power dissipation 29/66W
Case PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 14.5/8.3mΩ
Mounting SMD
Gate charge 21/65nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare