Skip to content

VISHAY Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V [SIZF914DT-T1-GE3]

Mã nhà sản xuất
SIZF914DT-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SIZF914DT-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SIZF914DT-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET x2 + Schottky
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 25V
Drain current 40/60A
Pulsed drain current 130...110A
Power dissipation 26.6/60W
Case PowerPAIR® 3x3
On-state resistance 6.2/1.5mΩ
Mounting SMD
Gate charge 21/98nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare