Skip to content

VISHAY Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A [SI7956DP-T1-E3]

Mã nhà sản xuất
SI7956DP-T1-E3
Thương hiệu
Mã kho
SI7956DP-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI7956DP-T1-E3
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 150V
Drain current 4.1A
Pulsed drain current 20A
Power dissipation 3.5W
Case PowerPAK® SO8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 0.115Ω
Mounting SMD
Gate charge 26nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

{"one"=>"Select 2 or 3 items to compare", "other"=>"{{ count }} of 3 items selected"}

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare