Skip to content

DIODES INCORPORATEDDMN33D9LV-13ATransistor: N-MOSFET x2

Case SOT563Drain current 0.2ADrain-source voltage 30VGate charge 1.23nC
Mã nhà sản xuất
DMN33D9LV-13A
Thương hiệu
Mã kho
DMN33D9LV-13A
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Manufacturer Part No. DMN33D9LV-13A
Type of transistor N-MOSFET x2
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 0.2A
Pulsed drain current 0.8A
Power dissipation 0.2W
Case SOT563
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 7Ω
Mounting SMD
Gate charge 1.23nC
Kind of package 13 inch reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare