Skip to content

DIODES INCORPORATEDDMT10H009LH3Transistor: N-MOSFET

Case TO251Drain current 67ADrain-source voltage 100VGate charge 20.2nC
Mã nhà sản xuất
DMT10H009LH3
Thương hiệu
Mã kho
DMT10H009LH3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Manufacturer Part No. DMT10H009LH3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 100V
Drain current 67A
Pulsed drain current 336A
Power dissipation 61W
Case TO251
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 13mΩ
Mounting THT
Gate charge 20.2nC
Kind of package tube
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare