DIODES INCORPORATEDDMT12H090LFDF4-7Transistor: N-MOSFET

Case X2-DFN2020-6Drain current 2.7ADrain-source voltage 115VGate charge 6nC

Mã nhà sản xuất

DMT12H090LFDF4-7

Thương hiệu

DIODES INCORPORATED

Mã kho

DMT12H090LFDF4-7

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 2.7A; Idm: 15A; 1W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	DIODES INCORPORATED
Manufacturer Part No.	DMT12H090LFDF4-7
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	115V
Drain current	2.7A
Pulsed drain current	15A
Power dissipation	1W
Case	X2-DFN2020-6
Gate-source voltage	±12V
On-state resistance	0.35Ω
Mounting	SMD
Gate charge	6nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare