Skip to content

DIODES INCORPORATEDDMT6006LSS-13Transistor: N-MOSFET

Case SO8Drain current 11.7ADrain-source voltage 60VGate charge 34.9nC
Mã nhà sản xuất
DMT6006LSS-13
Thương hiệu
Mã kho
DMT6006LSS-13
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Manufacturer Part No. DMT6006LSS-13
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 60V
Drain current 11.7A
Pulsed drain current 110A
Power dissipation 2.08W
Case SO8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 10mΩ
Mounting SMD
Gate charge 34.9nC
Kind of package 13 inch reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare