DIODES INCORPORATEDDMT67M8LCG-7Transistor: N-MOSFET

Case V-DFN3333-8Drain current 12.8ADrain-source voltage 60VGate charge 37.5nC

Mã nhà sản xuất

DMT67M8LCG-7

Thương hiệu

DIODES INCORPORATED

Mã kho

DMT67M8LCG-7

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12.8A; Idm: 256A; 2.2W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	DIODES INCORPORATED
Manufacturer Part No.	DMT67M8LCG-7
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60V
Drain current	12.8A
Pulsed drain current	256A
Power dissipation	2.2W
Case	V-DFN3333-8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	8.1mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	37.5nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare