Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG02P06Transistor: P-MOSFET

Case SOT23Drain current -1.6ADrain-source voltage -60VGate charge 11.3nC
Mã nhà sản xuất
G02P06
Thương hiệu
Mã kho
G02P06-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; 1.5W; SOT23; G02P06-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G02P06
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -60V
Drain current -1.6A
Power dissipation 1.5W
Case SOT23
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 11.3nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.018 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare