Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG05N06S2Transistor: N-MOSFET x2

Case SOP8Drain current 5ADrain-source voltage 60VGate charge 26nC
Mã nhà sản xuất
G05N06S2
Thương hiệu
Mã kho
G05N06S2-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 5A; 3.1W; SOP8; G05N06S2-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G05N06S2
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 60V
Drain current 5A
Power dissipation 3.1W
Case SOP8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 26nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare