Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG06NP06S2Transistor: N/P-MOSFET

Case SOP8Drain current 6/-6ADrain-source voltage 60/-60VGate charge 22/25nC
Mã nhà sản xuất
G06NP06S2
Thương hiệu
Mã kho
G06NP06S2-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 6/-6A; 2/2.5W; G06NP06S2-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G06NP06S2
Type of transistor N/P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 60/-60V
Drain current 6/-6A
Power dissipation 2/2.5W
Case SOP8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 22/25nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare