Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
G06P01E-GFS

GOFORD SEMICONDUCTORG06P01ETransistor: P-MOSFET

Case SOT23Drain current -4ADrain-source voltage -12VGate charge 14nC
Mã nhà sản xuất
G06P01E
Thương hiệu
GOFORD SEMICONDUCTOR
Mã kho
G06P01E-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -4A; 1.8W; SOT23; ESD; G06P01E-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G06P01E
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -12V
Drain current -4A
Power dissipation 1.8W
Case SOT23
Gate-source voltage ±10V
Mounting SMD
Gate charge 14nC
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare