Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG080N10TTransistor: N-MOSFET

Case TO220Drain current 140ADrain-source voltage 100VGate charge 192nC
Mã nhà sản xuất
G080N10T
Thương hiệu
Mã kho
G080N10T-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 140A; 236W; TO220; G080N10T-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G080N10T
Type of transistor N-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 100V
Drain current 140A
Power dissipation 236W
Case TO220
Gate-source voltage ±20V
Mounting THT
Gate charge 192nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare