Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG080P06TTransistor: P-MOSFET

Case TO220Drain current -195ADrain-source voltage -60VGate charge 186nC
Mã nhà sản xuất
G080P06T
Thương hiệu
Mã kho
G080P06T-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -195A; 294W; TO220; G080P06T-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G080P06T
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -60V
Drain current -195A
Power dissipation 294W
Case TO220
Gate-source voltage ±20V
Mounting THT
Gate charge 186nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare