Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG08N06STransistor: N-MOSFET

Case SOP8Drain current 5ADrain-source voltage 60VGate charge 50nC
Mã nhà sản xuất
G08N06S
Thương hiệu
Mã kho
G08N06S-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 2.1W; SOP8; G08N06S-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G08N06S
Type of transistor N-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 60V
Drain current 5A
Power dissipation 2.1W
Case SOP8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 50nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare