Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG090P02STransistor: P-MOSFET

Case SOP8Drain current -11ADrain-source voltage -20VGate charge 111nC
Mã nhà sản xuất
G090P02S
Thương hiệu
Mã kho
G090P02S-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -11A; 3.3W; SOP8; G090P02S-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G090P02S
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -11A
Power dissipation 3.3W
Case SOP8
Gate-source voltage ±12V
Mounting SMD
Gate charge 111nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare