Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG1008BTransistor: N-MOSFET x2

Case SOP8Drain current 8ADrain-source voltage 100VGate charge 25nC
Mã nhà sản xuất
G1008B
Thương hiệu
Mã kho
G1008B-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 100V; 8A; 3W; SOP8; G1008B-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G1008B
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 100V
Drain current 8A
Power dissipation 3W
Case SOP8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 25nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare