Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG11STransistor: P-MOSFET

Case SOP8Drain current -11ADrain-source voltage -20VGate charge 47nC
Mã nhà sản xuất
G11S
Thương hiệu
Mã kho
G11S-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -11A; 3.3W; SOP8; G11S-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G11S
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -11A
Power dissipation 3.3W
Case SOP8
Gate-source voltage ±12V
Mounting SMD
Gate charge 47nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.118 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare