Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG170P03D3Transistor: P-MOSFET

Case DFN3x3-8Drain current -30ADrain-source voltage -30VGate charge 35nC
Mã nhà sản xuất
G170P03D3
Thương hiệu
Mã kho
G170P03D3-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -30A; 35W; DFN3x3-8; G170P03D3-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G170P03D3
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -30V
Drain current -30A
Power dissipation 35W
Case DFN3x3-8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 35nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare