Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG170P03S2Transistor: P-MOSFET x2

Case SOP8Drain current -11ADrain-source voltage -30VGate charge 40nC
Mã nhà sản xuất
G170P03S2
Thương hiệu
Mã kho
G170P03S2-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SOP8; G170P03S2-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G170P03S2
Type of transistor P-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -30V
Drain current -11A
Power dissipation 2.5W
Case SOP8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 40nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare