Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG180C06YTransistor: N/P-MOSFET

Case TO252-4Drain current 50/-60ADrain-source voltage 60/-60VGate charge 39/62nC
Mã nhà sản xuất
G180C06Y
Thương hiệu
Mã kho
G180C06Y-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 50/-60A; G180C06Y-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G180C06Y
Type of transistor N/P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 60/-60V
Drain current 50/-60A
Power dissipation 69/115W
Case TO252-4
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 39/62nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare