Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG1K8P06S2Transistor: P-MOSFET x2

Case SOP8Drain current -3.2ADrain-source voltage -60VGate charge 11.3nC
Mã nhà sản xuất
G1K8P06S2
Thương hiệu
Mã kho
G1K8P06S2-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -60V; -3.2A; 2W; SOP8; G1K8P06S2-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G1K8P06S2
Type of transistor P-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -60V
Drain current -3.2A
Power dissipation 2W
Case SOP8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 11.3nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare