Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
G2K2P10S2E-GFS

GOFORD SEMICONDUCTORG2K2P10S2ETransistor: P-MOSFET x2

Case SOP8Drain current -3.5ADrain-source voltage -100VGate charge 23nC
Mã nhà sản xuất
G2K2P10S2E
Thương hiệu
GOFORD SEMICONDUCTOR
Mã kho
G2K2P10S2E-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -100V; -3.5A; 3.1W; SOP8; G2K2P10S2E-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G2K2P10S2E
Type of transistor P-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -100V
Drain current -3.5A
Power dissipation 3.1W
Case SOP8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 23nC
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare