Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG350N06D32Transistor: N-MOSFET x2

Case DFN3x3-8Drain current 10ADrain-source voltage 60VGate charge 25nC
Mã nhà sản xuất
G350N06D32
Thương hiệu
Mã kho
G350N06D32-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 10A; 20W; DFN3x3-8; G350N06D32-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G350N06D32
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 60V
Drain current 10A
Power dissipation 20W
Case DFN3x3-8
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 25nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare