Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG7K2N20LLETransistor: N-MOSFET

Case SOT23-6Drain current 2ADrain-source voltage 200VGate charge 11nC
Mã nhà sản xuất
G7K2N20LLE
Thương hiệu
Mã kho
G7K2N20LLE-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT23-6; ESD; G7K2N20LLE-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G7K2N20LLE
Type of transistor N-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 200V
Drain current 2A
Power dissipation 1.8W
Case SOT23-6
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 11nC
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare