Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG800N06HTransistor: N-MOSFET

Case SOT223Drain current 3ADrain-source voltage 60VGate charge 6nC
Mã nhà sản xuất
G800N06H
Thương hiệu
Mã kho
G800N06H-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.2W; SOT223; G800N06H-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G800N06H
Type of transistor N-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 60V
Drain current 3A
Power dissipation 1.2W
Case SOT223
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 6nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare