Skip to content

GOFORD SEMICONDUCTORG900P15MTransistor: P-MOSFET

Case TO263Drain current -35ADrain-source voltage -150VGate charge 27nC
Mã nhà sản xuất
G900P15M
Thương hiệu
Mã kho
G900P15M-GFS
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -150V; -35A; 198W; TO263; G900P15M-GFS

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer GOFORD SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. G900P15M
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -150V
Drain current -35A
Power dissipation 198W
Case TO263
Gate-source voltage ±20V
Mounting SMD
Gate charge 27nC
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare