Skip to content

INFINEONFF06MR12A04MA2AKSA1Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 190 A 1.2 kV 5560 µohm Module

Channel Type Dual N ChannelContinuous Drain Current Id 190AMOSFET Module Configuration Half BridgeNo. of Pins 11Pins
Mã nhà sản xuất
FF06MR12A04MA2AKSA1
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
4717051
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Infineon FF06MR12A04MA2AKSA1. Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 190 A 1.2 kV 5560 µohm Module

Features:

  • Silicon Carbide MOSFET
  • Half Bridge
  • Dual N Channel
  • 190 A
  • 1.2 kV
  • 5560 µohm
  • Module
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Infineon
Manufacturer Part No. FF06MR12A04MA2AKSA1
MOSFET Module Configuration Half Bridge
Channel Type Dual N Channel
Continuous Drain Current Id 190A
Drain Source Voltage Vds 1.2kV
Drain Source On State Resistance 5560µohm
Transistor Case Style Module
No. of Pins 11Pins
Rds(on) Test Voltage 18V
Gate Source Threshold Voltage Max 4.55V
Power Dissipation 20mW

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare