Skip to content

INFINEONFF2000R17T2P8BPSA1IGBT Module Half Bridge 2 kA 1.65 V 2200 kW 175 °C Module

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65VCollector Emitter Voltage Max 1.7kVIGBT Configuration Half BridgeIGBT Technology IGBT 8 [Trench Stop]
Mã nhà sản xuất
FF2000R17T2P8BPSA1
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
4917032
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Infineon FF2000R17T2P8BPSA1. IGBT Module Half Bridge 2 kA 1.65 V 2200 kW 175 °C Module

Features:

  • IGBT Module
  • Half Bridge
  • 2 kA
  • 1.65 V
  • 2200 kW
  • 175 °C
  • Module
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Infineon
Manufacturer Part No. FF2000R17T2P8BPSA1
IGBT Configuration Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65V
Power Dissipation 2200kW
Operating Temperature Max 175°C
Transistor Case Style Module
IGBT Termination Screw
Collector Emitter Voltage Max 1.7kV
IGBT Technology IGBT 8 [Trench Stop]
Transistor Mounting Panel
Product Range XHP 2 Series

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare