Skip to content

NEXPERIAGAN3R2-100CBEAZTransistor: N-JFET

Case WLCSP8Drain current 60ADrain-source voltage 100VGate charge 12nC
Mã nhà sản xuất
GAN3R2-100CBEAZ
Thương hiệu
Mã kho
GAN3R2-100CBEAZ
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. GAN3R2-100CBEAZ
Type of transistor N-JFET
Technology GaN
Polarisation unipolar
Kind of transistor HEMT
Drain-source voltage 100V
Drain current 60A
Pulsed drain current 230A
Power dissipation 394W
Case WLCSP8
Gate-source voltage -4...6V
On-state resistance 3.2mΩ
Mounting SMD
Gate charge 12nC
Kind of package tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Documentation EN · Documentation EN

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare