NXV65UPR 3617843

NEXPERIANXV65UPRTransistor: P-MOSFET

Case SOT23Drain current -1.3ADrain-source voltage -20VGate charge 5.8nC

Mã nhà sản xuất

NXV65UPR

Thương hiệu

Mã kho

NXV65UPR

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	NEXPERIA
Manufacturer Part No.	NXV65UPR
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-1.3A
Pulsed drain current	-8.4A
Power dissipation	0.34W
Case	SOT23, TO236AB
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	0.15Ω
Mounting	SMD
Gate charge	5.8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.013 g

Tài liệu: Documentation EN · Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare