Skip to content

NEXPERIAPMCM6501VPEZTransistor: P-MOSFET

Case WLCSP6Drain current -4ADrain-source voltage -12VGate charge 29.4nC
Mã nhà sản xuất
PMCM6501VPEZ
Thương hiệu
Mã kho
PMCM6501VPEZ
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; WLCSP6

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMCM6501VPEZ
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -12V
Drain current -4A
Pulsed drain current -25A
Case WLCSP6
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 34mΩ
Mounting SMD
Gate charge 29.4nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare