NEXPERIAPMCXB1000UEZTransistor: N/P-MOSFET

Case DFN1010B-6Drain current 590/-410mADrain-source voltage 30/-30VGate charge 1.05/1.2nC

Mã nhà sản xuất

PMCXB1000UEZ

Thương hiệu

Mã kho

PMCXB1000UEZ

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 30/-30V; 590/-410mA

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	NEXPERIA
Manufacturer Part No.	PMCXB1000UEZ
Type of transistor	N/P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30/-30V
Drain current	590/-410mA
Pulsed drain current	-1.7...2.3A
Case	DFN1010B-6, SOT1216
Gate-source voltage	±8/±8V
On-state resistance	670mΩ/1.4Ω
Mounting	SMD
Gate charge	1.05/1.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare