Skip to content

NEXPERIAPMDPB30XN,115Transistor: N-MOSFET x2

Case DFN2020-6Drain current 2.6ADrain-source voltage 20VGate charge 21.7nC
Mã nhà sản xuất
PMDPB30XN,115
Thương hiệu
Mã kho
PMDPB30XN.115
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 12A; PMDPB30XN.115

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMDPB30XN,115
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 20V
Drain current 2.6A
Pulsed drain current 12A
Case DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 69mΩ
Mounting SMD
Gate charge 21.7nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare