Skip to content

NEXPERIAPMDPB85UPE,115Transistor: P-MOSFET x2

Case DFN2020-6Drain current -1.8ADrain-source voltage -20VGate charge 8.1nC
Mã nhà sản xuất
PMDPB85UPE,115
Thương hiệu
Mã kho
PMDPB85UPE.115
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -11.6A; PMDPB85UPE.115

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMDPB85UPE,115
Type of transistor P-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -1.8A
Pulsed drain current -11.6A
Case DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 144mΩ
Mounting SMD
Gate charge 8.1nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare